SIHW47N60E-GE3
Hersteller Produktnummer:

SIHW47N60E-GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SIHW47N60E-GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 47A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-247AD

Inventar:

106 Stück Neu Original Auf Lager
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SIHW47N60E-GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
47A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
64mOhm @ 24A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
220 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
9620 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
357W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247AD
Paket / Koffer
TO-3P-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
SIHW47

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
30
Andere Namen
2266-SIHW47N60E-GE3
SIHW47N60E-GE3CT-DG
SIHW47N60E-GE3CT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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