Hersteller Produktnummer:
SIHU4N80E-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIHU4N80E-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 4.3A IPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 4.3A (Tc) 69W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Inventar:
12920734
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SIHU4N80E-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tube
Reihe
E
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.27Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
622 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
69W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
IPAK (TO-251)
Paket / Koffer
TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Basis-Produktnummer
SIHU4
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SIHU4N80AE-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
2995
TEILNUMMER
SIHU4N80AE-GE3-DG
Einheitspreis
0.54
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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