Hersteller Produktnummer:
SIHS90N65E-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIHS90N65E-GE3-DG
Beschreibung:
E SERIES POWER MOSFET SUPER-247,
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 87A (Tc) 625W (Tc) Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Inventar:
233 Stück Neu Original Auf Lager
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SIHS90N65E-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tube
Reihe
E
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
87A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
29mOhm @ 45A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
591 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
11826 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
625W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
SUPER-247™ (TO-274AA)
Paket / Koffer
TO-274AA
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
742-SIHS90N65E-GE3
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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