SIHP4N80E-BE3
Hersteller Produktnummer:

SIHP4N80E-BE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SIHP4N80E-BE3-DG

Beschreibung:

N-CHANNEL 600V
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 4.3A (Tc) 69W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventar:

1000 Stück Neu Original Auf Lager
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SIHP4N80E-BE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
E
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.27Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
622 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
69W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
SIHP4N80E

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,000
Andere Namen
742-SIHP4N80E-BE3TR
742-SIHP4N80E-BE3CT

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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