Hersteller Produktnummer:
SIHP22N65E-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIHP22N65E-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 22A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 22A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
12919599
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SIHP22N65E-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2415 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
227W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
SIHP22
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
SIHP22N65E-GE3CT
SIHP22N65E-GE3CT-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPP65R190E6XKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
580
TEILNUMMER
IPP65R190E6XKSA1-DG
Einheitspreis
1.52
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
FCP190N65F
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
1600
TEILNUMMER
FCP190N65F-DG
Einheitspreis
1.98
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
FCP190N60E
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
695
TEILNUMMER
FCP190N60E-DG
Einheitspreis
1.62
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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