Hersteller Produktnummer:
SIHP22N60AE-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIHP22N60AE-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
12920795
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SIHP22N60AE-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tube
Reihe
E
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1451 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
179W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
SIHP22
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SIHP22N60AE-BE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
1946
TEILNUMMER
SIHP22N60AE-BE3-DG
Einheitspreis
1.59
ERSATZART
Direct
Teilenummer
TK16E60W,S1VX
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
39
TEILNUMMER
TK16E60W,S1VX-DG
Einheitspreis
1.10
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
STP28NM60ND
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
133
TEILNUMMER
STP28NM60ND-DG
Einheitspreis
3.12
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IPP60R190E6XKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
1985
TEILNUMMER
IPP60R190E6XKSA1-DG
Einheitspreis
1.41
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
FCP190N65S3
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
FCP190N65S3-DG
Einheitspreis
1.44
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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