Hersteller Produktnummer:
SIHP21N80AEF-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIHP21N80AEF-GE3-DG
Beschreibung:
E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 16.3A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
986 Stück Neu Original Auf Lager
12959049
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SIHP21N80AEF-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Bulk
Reihe
EF
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
16.3A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1511 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
179W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
742-SIHP21N80AEF-GE3
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SIHG21N80AEF-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
464
TEILNUMMER
SIHG21N80AEF-GE3-DG
Einheitspreis
1.44
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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