SIHP125N60EF-GE3
Hersteller Produktnummer:

SIHP125N60EF-GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SIHP125N60EF-GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventar:

1000 Stück Neu Original Auf Lager
12786569
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SIHP125N60EF-GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tube
Reihe
EF
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1533 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
179W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
SIHP125

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
SIHP125N60EF

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,000
Andere Namen
SIHP125N60EF-GE3-DG
742-SIHP125N60EF-GE3

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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