SIHP10N40D-E3
Hersteller Produktnummer:

SIHP10N40D-E3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SIHP10N40D-E3-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 400 V 10A (Tc) 147W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventar:

12961764
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SIHP10N40D-E3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
400 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
526 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
147W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
SIHP10

Datenblatt & Dokumente

Produkt-Zeichnungen
Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,000
Andere Namen
2266-SIHP10N40D-E3
SIHP10N40DE3

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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