Hersteller Produktnummer:
SIHK155N60E-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIHK155N60E-T1-GE3-DG
Beschreibung:
E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 19A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount PowerPAK®10 x 12
Inventar:
13004008
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SIHK155N60E-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
E
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
155mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1514 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
156W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK®10 x 12
Paket / Koffer
8-PowerBSFN
Basis-Produktnummer
SIHK155
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
742-SIHK155N60E-T1-GE3CT
742-SIHK155N60E-T1-GE3TR
742-SIHK155N60E-T1-GE3DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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