Hersteller Produktnummer:
SIHK045N60E-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIHK045N60E-T1-GE3-DG
Beschreibung:
E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 48A (Tc) 278W (Tc) Surface Mount PowerPAK®10 x 12
Inventar:
1829 Stück Neu Original Auf Lager
12997290
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SIHK045N60E-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
E
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
48A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
49mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4013 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
278W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK®10 x 12
Paket / Koffer
8-PowerBSFN
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
742-SIHK045N60E-T1-GE3TR
742-SIHK045N60E-T1-GE3CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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