Hersteller Produktnummer:
SIHJ7N65E-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIHJ7N65E-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 7.9A PPAK SO-8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 7.9A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
12921164
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Menge
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SIHJ7N65E-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7.9A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
598mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
820 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
96W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer
PowerPAK® SO-8
Basis-Produktnummer
SIHJ7
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SIHJ7N65E-T1-GE3CT
SIHJ7N65E-T1-GE3TR
SIHJ7N65E-T1-GE3DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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