Hersteller Produktnummer:
SIHG70N60AEF-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIHG70N60AEF-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 60A TO247AC
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 60A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventar:
447 Stück Neu Original Auf Lager
12786887
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SIHG70N60AEF-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tube
Reihe
EF
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
41mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
410 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5348 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
417W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247AC
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
SIHG70
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
SIHG70N60AEF-GE3-DG
742-SIHG70N60AEF-GE3
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPW60R045CPAFKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
83
TEILNUMMER
IPW60R045CPAFKSA1-DG
Einheitspreis
12.42
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
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