SIHG28N65EF-GE3
Hersteller Produktnummer:

SIHG28N65EF-GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SIHG28N65EF-GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 28A TO247AC
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 28A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC

Inventar:

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SIHG28N65EF-GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
117mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
146 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3249 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
250W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247AC
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
SIHG28

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
SIHG28N65EF-GE3
HTML-Datenblatt
SIHG28N65EF-GE3-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
25

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
SPW35N60CFDFKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
486
TEILNUMMER
SPW35N60CFDFKSA1-DG
Einheitspreis
5.80
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
STW40N65M2
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
337
TEILNUMMER
STW40N65M2-DG
Einheitspreis
2.94
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IXKH35N60C5
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
117
TEILNUMMER
IXKH35N60C5-DG
Einheitspreis
6.79
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IXFR64N60Q3
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
30
TEILNUMMER
IXFR64N60Q3-DG
Einheitspreis
28.02
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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