Hersteller Produktnummer:
SIHG24N65EF-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIHG24N65EF-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventar:
12920393
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SIHG24N65EF-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tube
Reihe
E
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
156mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2774 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
250W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247AC
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
SIHG24
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPW60R165CPFKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
200
TEILNUMMER
IPW60R165CPFKSA1-DG
Einheitspreis
2.54
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
FCH170N60
HERSTELLER
Fairchild Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
11513
TEILNUMMER
FCH170N60-DG
Einheitspreis
2.97
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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