Hersteller Produktnummer:
SIHFS9N60A-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIHFS9N60A-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO263
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 9.2A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12918522
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Menge
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EINREICHEN
SIHFS9N60A-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
750mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1400 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
170W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
SIHFS9
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFS9N60ATRRPBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
875
TEILNUMMER
IRFS9N60ATRRPBF-DG
Einheitspreis
1.51
ERSATZART
Parametric Equivalent
Teilenummer
IRFS9N60ATRLPBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
800
TEILNUMMER
IRFS9N60ATRLPBF-DG
Einheitspreis
1.51
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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