Hersteller Produktnummer:
SIHD7N60ET4-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIHD7N60ET4-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
12786129
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SIHD7N60ET4-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
E
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
680 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
78W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
SIHD7
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPD80R450P7ATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
12650
TEILNUMMER
IPD80R450P7ATMA1-DG
Einheitspreis
0.81
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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