SIHD6N65ET1-GE3
Hersteller Produktnummer:

SIHD6N65ET1-GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SIHD6N65ET1-GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventar:

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SIHD6N65ET1-GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
E
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
820 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
78W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
SIHD6

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
SIHD6N65E-GE3

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,000

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
IXFA14N60P
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
50
TEILNUMMER
IXFA14N60P-DG
Einheitspreis
2.25
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
STB13NK60ZT4
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
757
TEILNUMMER
STB13NK60ZT4-DG
Einheitspreis
1.79
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
STB14NK60ZT4
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
STB14NK60ZT4-DG
Einheitspreis
1.98
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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