SIHD6N62E-GE3
Hersteller Produktnummer:

SIHD6N62E-GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SIHD6N62E-GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 620V 6A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 6A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventar:

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SIHD6N62E-GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
578 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
78W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
SIHD6

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
SIHD6N62E-GE3
HTML-Datenblatt
SIHD6N62E-GE3-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
75
Andere Namen
SIHD6N62E-GE3TR
SIHD6N62E-GE3DKRINACTIVE
SIHD6N62E-GE3DKR
SIHD6N62E-GE3TRINACTIVE
SIHD6N62E-GE3DKR-DG
SIHD6N62E-GE3TR-DG
SIHD6N62E-GE3CT
SIHD6N62E-GE3CT-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
STD9NM60N
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
2500
TEILNUMMER
STD9NM60N-DG
Einheitspreis
0.98
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
STD9N60M2
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
1200
TEILNUMMER
STD9N60M2-DG
Einheitspreis
0.43
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
STD7NM60N
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
12347
TEILNUMMER
STD7NM60N-DG
Einheitspreis
0.85
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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