Hersteller Produktnummer:
SIHD12N50E-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIHD12N50E-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 550V 10.5A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 550 V 10.5A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventar:
3000 Stück Neu Original Auf Lager
12786062
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SIHD12N50E-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tube
Reihe
E
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
550 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
886 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
114W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TA)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DPAK
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
SIHD12
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SIHD12N50E-GE3CT
SIHD12N50E-GE3TRINACTIVE
SIHD12N50E-GE3DKR-DG
SIHD12N50E-GE3DKRINACTIVE
SIHD12N50E-GE3DKR
SIHD12N50E-GE3TR-DG
SIHD12N50E-GE3CT-DG
SIHD12N50E-GE3TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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