SIHD11N80AE-T1-GE3
Hersteller Produktnummer:

SIHD11N80AE-T1-GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SIHD11N80AE-T1-GE3-DG

Beschreibung:

N-CHANNEL 800V
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount DPAK

Inventar:

12977865
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SIHD11N80AE-T1-GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
E
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
804 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
78W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DPAK
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,000
Andere Namen
742-SIHD11N80AE-T1-GE3TR
742-SIHD11N80AE-T1-GE3CT
742-SIHD11N80AE-T1-GE3DKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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