Hersteller Produktnummer:
SIHB28N60EF-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIHB28N60EF-T1-GE3-DG
Beschreibung:
N-CHANNEL 600V
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 28A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
790 Stück Neu Original Auf Lager
12999583
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EINREICHEN
SIHB28N60EF-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
123mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2714 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
250W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
742-SIHB28N60EF-T1-GE3TR
742-SIHB28N60EF-T1-GE3CT
742-SIHB28N60EF-T1-GE3DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SIHB28N60EF-T5-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
800
TEILNUMMER
SIHB28N60EF-T5-GE3-DG
Einheitspreis
2.73
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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