Hersteller Produktnummer:
SIHB22N60AEL-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIHB22N60AEL-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
77 Stück Neu Original Auf Lager
12787744
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SIHB22N60AEL-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tube
Reihe
EL
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1757 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
208W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
SIHB22
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
SIHB22N60AEL-GE3CT-DG
SIHB22N60AEL-GE3DKR
SIHB22N60AEL-GE3CT
SIHB22N60AEL-GE3DKR-DG
SIHB22N60AEL-GE3DKRINACTIVE
SIHB22N60AEL-GE3TRINACTIVE
SIHB22N60AEL-GE3TR
SIHB22N60AEL-GE3TR-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
R6020KNJTL
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
1540
TEILNUMMER
R6020KNJTL-DG
Einheitspreis
1.47
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SQV120N10-3M8_GE3
MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3
SIHP28N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 29A TO220AB
SQM40061EL_GE3
MOSFET P-CH 40V 100A TO263
