Hersteller Produktnummer:
SIHB15N65E-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIHB15N65E-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 15A TO263
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 15A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12787511
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Menge
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SIHB15N65E-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1640 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
34W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
SIHB15
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TK14G65W,RQ
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
3525
TEILNUMMER
TK14G65W,RQ-DG
Einheitspreis
0.93
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
STB25N80K5
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
630
TEILNUMMER
STB25N80K5-DG
Einheitspreis
2.75
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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