Hersteller Produktnummer:
SIHA24N65EF-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIHA24N65EF-GE3-DG
Beschreibung:
N-CHANNEL 650V
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Inventar:
1770 Stück Neu Original Auf Lager
12986559
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SIHA24N65EF-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
E
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
156mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2774 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
39W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220 Full Pack
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
742-SIHA24N65EF-GE3
742-SIHA24N65EF-GE3TR-DG
742-SIHA24N65EF-GE3DKRINACTIVE
742-SIHA24N65EF-GE3CT-DG
742-SIHA24N65EF-GE3CT
742-SIHA24N65EF-GE3CTINACTIVE
742-SIHA24N65EF-GE3TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
NVMFWS0D4N04XMT1G
40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
G3401L
MOSFET P-CH 30V 4.4A SOT-23-3L
UF3SC120040B7S
1200V/40MOHM, SIC, STACKED FAST
