SIHA21N65EF-E3
Hersteller Produktnummer:

SIHA21N65EF-E3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SIHA21N65EF-E3-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 21A TO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 21A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack

Inventar:

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SIHA21N65EF-E3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
106 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2322 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
35W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220 Full Pack
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
SIHA21

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
SIHA21N65EF-E3
HTML-Datenblatt
SIHA21N65EF-E3-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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