SIF912EDZ-T1-E3
Hersteller Produktnummer:

SIF912EDZ-T1-E3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SIF912EDZ-T1-E3-DG

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 30V 7.4A PPAK
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 7.4A 1.6W Surface Mount PowerPAK® (2x5)

Inventar:

12915834
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SIF912EDZ-T1-E3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7.4A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
19mOhm @ 7.4A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
-
Leistung - Max
1.6W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
PowerPAK® 2x5
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® (2x5)
Basis-Produktnummer
SIF912

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SIF912EDZ-T1-E3TR
SIF912EDZT1E3
SIF912EDZ-T1-E3CT
SIF912EDZ-T1-E3DKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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