Hersteller Produktnummer:
SIE854DF-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIE854DF-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 60A 10POLARPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
Inventar:
12917897
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SIE854DF-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
14.2mOhm @ 13.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3100 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
5.2W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
10-PolarPAK® (L)
Paket / Koffer
10-PolarPAK® (L)
Basis-Produktnummer
SIE854
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SIE854DF-T1-GE3CT
SIE854DF-T1-GE3DKR
SIE854DFT1GE3
SIE854DF-T1-GE3TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SIR846ADP-T1-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
SIR846ADP-T1-GE3-DG
Einheitspreis
0.86
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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