SIE808DF-T1-GE3
Hersteller Produktnummer:

SIE808DF-T1-GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SIE808DF-T1-GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)

Inventar:

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SIE808DF-T1-GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Last Time Buy
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.6mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
8800 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
5.2W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
10-PolarPAK® (L)
Paket / Koffer
10-PolarPAK® (L)
Basis-Produktnummer
SIE808

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
SIE808DF-T1-GE3
HTML-Datenblatt
SIE808DF-T1-GE3-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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