SIB412DK-T1-E3
Hersteller Produktnummer:

SIB412DK-T1-E3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SIB412DK-T1-E3-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 20V 9A PPAK SC75-6
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6

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SIB412DK-T1-E3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
34mOhm @ 6.6A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10.16 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
535 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SC-75-6
Paket / Koffer
PowerPAK® SC-75-6
Basis-Produktnummer
SIB412

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SIB412DK-T1-E3TR
SIB412DK-T1-E3DKR
SIB412DK-T1-E3CT
SIB412DKT1E3

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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