Startseite
Produkte
Hersteller
Über DiGi
Kontaktiere uns
Blogs & Beiträge
Anfrage/Angebot
Germany
Anmelden
Auswahl Sprache
Derzeitige Sprache Ihrer Wahl:
Germany
Schalter:
Englisch
Europa
Vereinigtes Königreich
Frankreich
Spanien
Turkei
Republik Moldau
Litauen
Norwegen
Deutschland
Portugal
Slowakei
ltaly
Finnland
Russisch
Bulgarien
Dänemark
Estland
Polen
Ukraine
Slowenien
Tschechisch
Griechisch
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Niederlande
Schweden
Montenegro
Baskisch
Island
Bosnien
Ungarisch
Rumänien
Österreich
Belgien
Irland
Asien / Pazifik
China
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Philippinisch
Malaysien
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudi-Arabien
Katar
Kuwait
Kambodscha
Myanmar
Afrika, Indien und Naher Osten
Vereinigte Arabische Emirate
Tadschikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Südafrika
Ägypten
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Südamerika / Ozeanien
Neuseeland
Angola
Brazilien
Mosambik
Peru
Kolumbien
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivien
Uruguay
Argentinien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexiko
Über DiGi
Über uns
Über uns
Unsere Zertifizierungen
DiGi Einführung
Warum DiGi
Richtlinie
Qualitätspolitik
Nutzungsbedingungen
RoHS-Konformität
Rückgabeprozess
Ressourcen
Produktkategorien
Hersteller
Blogs & Beiträge
Dienstleistungen
Qualitätsgarantie
Zahlungsart
Globale Lieferung
Versandkosten
Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
SIA906EDJ-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIA906EDJ-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Inventar:
119578 Stück Neu Original Auf Lager
12915595
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
*
Unternehmen
*
Kontaktname
*
Telefon
*
E-Mail
Lieferadresse
Nachricht
(
*
) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SIA906EDJ-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.5A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
46mOhm @ 3.9A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
350pF @ 10V
Leistung - Max
7.8W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Basis-Produktnummer
SIA906
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
SIA906EDJ-T1-GE3
HTML-Datenblatt
SIA906EDJ-T1-GE3-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SIA906EDJT1GE3
SIA906EDJ-T1-GE3DKR
SIA906EDJ-T1-GE3TR
SIA906EDJ-T1-GE3CT
SIA906EDJ-T1-GE3-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SI4931DY-T1-E3
MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
MMIX2F60N50P3
MOSFET 2N-CH 500V 30A 24SMPD
SI6966DQ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 4A 8TSSOP
SI4908DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 5A 8SOIC