Hersteller Produktnummer:
SIA477EDJ-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIA477EDJ-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 12 V 12A (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Inventar:
12913670
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SIA477EDJ-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
12 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
87 nC @ 8 V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2970 pF @ 6 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SC-70-6
Paket / Koffer
PowerPAK® SC-70-6
Basis-Produktnummer
SIA477
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SIA477EDJ-T1-GE3TR
SIA477EDJ-T1-GE3DKR
SIA477EDJ-T1-GE3-DG
SIA477EDJ-T1-GE3CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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