Hersteller Produktnummer:
SIA4371EDJ-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIA4371EDJ-T1-GE3-DG
Beschreibung:
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 30 V 6.4A (Ta), 9A (Tc) 2.9W (Ta), 15.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Inventar:
5510 Stück Neu Original Auf Lager
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SIA4371EDJ-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6.4A (Ta), 9A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 3.7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SC-70-6
Paket / Koffer
PowerPAK® SC-70-6
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
742-SIA4371EDJ-T1-GE3TR
742-SIA4371EDJ-T1-GE3CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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