Hersteller Produktnummer:
SIA433EDJ-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIA433EDJ-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Inventar:
9666 Stück Neu Original Auf Lager
12916293
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SIA433EDJ-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 7.6A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±12V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SC-70-6
Paket / Koffer
PowerPAK® SC-70-6
Basis-Produktnummer
SIA433
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SIA433EDJ-T1-GE3TR
SIA433EDJT1GE3
SIA433EDJ-T1-GE3CT
SIA433EDJ-T1-GE3DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SIE876DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 60A 10POLARPAK
SQJA37EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
BUK7214-75B,118
MOSFET N-CH 75V 70A DPAK
