Hersteller Produktnummer:
SIA417DJ-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIA417DJ-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 8 V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Inventar:
12914814
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SIA417DJ-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
8 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.2V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1600 pF @ 4 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SC-70-6
Paket / Koffer
PowerPAK® SC-70-6
Basis-Produktnummer
SIA417
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SIA417DJ-T1-GE3DKR
SIA417DJ-T1-GE3CT
SIA417DJT1GE3
SIA417DJ-T1-GE3TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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