Hersteller Produktnummer:
SI8800EDB-T2-E1
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI8800EDB-T2-E1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
Inventar:
5 Stück Neu Original Auf Lager
12914676
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SI8800EDB-T2-E1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.3 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±8V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
500mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
4-Microfoot
Paket / Koffer
4-XFBGA, CSPBGA
Basis-Produktnummer
SI8800
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI8800EDB-T2-E1CT
SI8800EDB-T2-E1DKR
SI8800EDB-T2-E1TR
SI8800EDBT2E1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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