Hersteller Produktnummer:
SI8489EDB-T2-E1
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI8489EDB-T2-E1-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 3.06A (Ta) 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
Inventar:
4861 Stück Neu Original Auf Lager
12918617
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SI8489EDB-T2-E1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.06A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
44mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
765 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
4-Microfoot
Paket / Koffer
4-UFBGA
Basis-Produktnummer
SI8489
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI8489EDB-T2-E1CT
SI8489EDB-T2-E1TR
SI8489EDB-T2-E1DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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