SI8465DB-T2-E1
Hersteller Produktnummer:

SI8465DB-T2-E1

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SI8465DB-T2-E1-DG

Beschreibung:

MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 2.5A (Ta) 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot

Inventar:

90 Stück Neu Original Auf Lager
12920625
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

SI8465DB-T2-E1 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Cut Tape (CT)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
104mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
450 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
4-Microfoot
Paket / Koffer
4-XFBGA, CSPBGA
Basis-Produktnummer
SI8465

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI8465DB-T2-E1TR
SI8465DBT2E1
SI8465DB-T2-E1CT
SI8465DB-T2-E1DKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Ähnliche Produkte
vishay-siliconix

SQ2361ES-T1_GE3

MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23

vishay-semi-diodes

VS-FA38SA50LCP

MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227

vishay-siliconix

SI8447DB-T2-E1

MOSFET P-CH 20V 11A 6MICRO FOOT

vishay-siliconix

SQD10N30-330H_GE3

MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA