Hersteller Produktnummer:
SI8406DB-T2-E1
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI8406DB-T2-E1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 16A 6MICRO FOOT
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 16A (Tc) 2.77W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Inventar:
5466 Stück Neu Original Auf Lager
12913586
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SI8406DB-T2-E1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
33mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
850mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
830 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.77W (Ta), 13W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
6-Micro Foot™ (1.5x1)
Paket / Koffer
6-UFBGA
Basis-Produktnummer
SI8406
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI8406DBT2E1
742-SI8406DB-T2-E1TR
742-SI8406DB-T2-E1CT
SI8406DB-T2-E1TR-DG
SI8406DB-T2-E1CT-DG
SI8406DB-T2-E1CT
SI8406DB-T2-E1DKR
742-SI8406DB-T2-E1DKR
SI8406DB-T2-E1TR
SI8406DB-T2-E1DKR-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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