SI8401DB-T1-E3
Hersteller Produktnummer:

SI8401DB-T1-E3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SI8401DB-T1-E3-DG

Beschreibung:

MOSFET P-CH 20V 3.6A 4MICROFOOT
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 3.6A (Ta) 1.47W (Ta) Surface Mount 4-Microfoot

Inventar:

12914627
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

SI8401DB-T1-E3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.6A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.47W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
4-Microfoot
Paket / Koffer
4-XFBGA, CSPBGA
Basis-Produktnummer
SI8401

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
vishay-siliconix

SI1056X-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V SC89-6

vishay-siliconix

IRFBE30STRR

MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

vishay-siliconix

SI2312CDS-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3

vishay-siliconix

IRFD9123PBF

MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP