SI7983DP-T1-E3
Hersteller Produktnummer:

SI7983DP-T1-E3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SI7983DP-T1-E3-DG

Beschreibung:

MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO8
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 7.7A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

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SI7983DP-T1-E3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7.7A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 12A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 600µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
74nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
-
Leistung - Max
1.4W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
PowerPAK® SO-8 Dual
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SO-8 Dual
Basis-Produktnummer
SI7983

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI7983DP-T1-E3DKR
SI7983DPT1E3
SI7983DP-T1-E3CT
SI7983DP-T1-E3TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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