SI7956DP-T1-GE3
Hersteller Produktnummer:

SI7956DP-T1-GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SI7956DP-T1-GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO8
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 150V 2.6A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

Inventar:

6414 Stück Neu Original Auf Lager
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SI7956DP-T1-GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
150V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.6A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
105mOhm @ 4.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
-
Leistung - Max
1.4W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
PowerPAK® SO-8 Dual
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SO-8 Dual
Basis-Produktnummer
SI7956

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
SI7956DP-T1-GE3
HTML-Datenblatt
SI7956DP-T1-GE3-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI7956DP-T1-GE3TR
SI7956DP-T1-GE3DKR
SI7956DP-T1-GE3CT
SI7956DPT1GE3

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH info available upon request
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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