Hersteller Produktnummer:
SI7892BDP-T1-E3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI7892BDP-T1-E3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 15A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
8905 Stück Neu Original Auf Lager
12914660
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SI7892BDP-T1-E3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
15A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3775 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.8W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer
PowerPAK® SO-8
Basis-Produktnummer
SI7892
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI7892BDP-T1-E3CT
SI7892BDP-T1-E3TR
SI7892BDPT1E3
SI7892BDP-T1-E3DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Affected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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