Hersteller Produktnummer:
SI7172DP-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI7172DP-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 25A (Tc) 5.4W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
7461 Stück Neu Original Auf Lager
12960840
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SI7172DP-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
70mOhm @ 5.9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
77 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2250 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
5.4W (Ta), 96W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer
PowerPAK® SO-8
Basis-Produktnummer
SI7172
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI7172DP-T1-GE3CT
SI7172DP-T1-GE3DKR
SI7172DPT1GE3
SI7172DP-T1-GE3TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IRFP460LCPBF
MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
IRLZ44L
MOSFET N-CH 60V 50A TO262-3
SI7106DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8
