SI7120DN-T1-GE3
Hersteller Produktnummer:

SI7120DN-T1-GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SI7120DN-T1-GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 6.3A (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

Inventar:

12919962
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SI7120DN-T1-GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6.3A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
19mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
FET-Funktion
-
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer
PowerPAK® 1212-8
Basis-Produktnummer
SI7120

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI7120DNT1GE3
SI7120DN-T1-GE3CT
SI7120DN-T1-GE3DKR
SI7120DN-T1-GE3TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
SI7120ADN-T1-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
3413
TEILNUMMER
SI7120ADN-T1-GE3-DG
Einheitspreis
0.55
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
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