SI6562CDQ-T1-GE3
Hersteller Produktnummer:

SI6562CDQ-T1-GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SI6562CDQ-T1-GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8TSSOP
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 6.7A, 6.1A 1.6W, 1.7W Surface Mount 8-TSSOP

Inventar:

10653 Stück Neu Original Auf Lager
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SI6562CDQ-T1-GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6.7A, 6.1A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 5.7A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
850pF @ 10V
Leistung - Max
1.6W, 1.7W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-TSSOP
Basis-Produktnummer
SI6562

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
SI6562CDQ-T1-GE3
HTML-Datenblatt
SI6562CDQ-T1-GE3-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI6562CDQT1GE3
SI6562CDQ-T1-GE3CT
SI6562CDQ-T1-GE3DKR
SI6562CDQ-T1-GE3TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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