SI6467BDQ-T1-GE3
Hersteller Produktnummer:

SI6467BDQ-T1-GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SI6467BDQ-T1-GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 12 V 6.8A (Ta) Surface Mount 8-TSSOP

Inventar:

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12915491
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SI6467BDQ-T1-GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
12 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6.8A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
12.5mOhm @ 8A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
850mV @ 450µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 4.5 V
FET-Funktion
-
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-TSSOP
Paket / Koffer
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Basis-Produktnummer
SI6467

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI6467BDQ-T1-GE3CT
SI6467BDQT1GE3
SI6467BDQ-T1-GE3DKR
SI6467BDQ-T1-GE3TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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