SI5999EDU-T1-GE3
Hersteller Produktnummer:

SI5999EDU-T1-GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SI5999EDU-T1-GE3-DG

Beschreibung:

MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 6A 10.4W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual

Inventar:

Angebot Anfrage Online
12919668
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

SI5999EDU-T1-GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
59mOhm @ 3.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
496pF @ 10V
Leistung - Max
10.4W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
PowerPAK® ChipFET™ Dual
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® ChipFet Dual
Basis-Produktnummer
SI5999

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
SI5999EDU-T1-GE3
HTML-Datenblatt
SI5999EDU-T1-GE3-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI5999EDU-T1-GE3DKR
SI5999EDUT1GE3
SI5999EDU-T1-GE3CT
SI5999EDU-T1-GE3TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Ähnliche Produkte
vishay-siliconix

SI7842DP-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO8

vishay-siliconix

SI4904DY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC

vishay-siliconix

SI4804BDY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

vishay-siliconix

SI4226DY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC