Hersteller Produktnummer:
SI5855DC-T1-E3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI5855DC-T1-E3-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 2.7A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Inventar:
12965511
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SI5855DC-T1-E3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 2.7A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.7 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
FET-Funktion
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.)
1.1W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
1206-8 ChipFET™
Paket / Koffer
8-SMD, Flat Lead
Basis-Produktnummer
SI5855
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI5855DC-T1-E3TR
SI5855DC-T1-E3DKR
SI5855DCT1E3
SI5855DC-T1-E3CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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