Hersteller Produktnummer:
SI5515CDC-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI5515CDC-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 4A 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Inventar:
11790 Stück Neu Original Auf Lager
12913427
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SI5515CDC-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
36mOhm @ 6A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
800mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11.3nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
632pF @ 10V
Leistung - Max
3.1W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SMD, Flat Lead
Gerätepaket für Lieferanten
1206-8 ChipFET™
Basis-Produktnummer
SI5515
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI5515CDCT1GE3
SI5515CDC-T1-GE3DKR
SI5515CDC-T1-GE3TR
SI5515CDC-T1-GE3CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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